芯片研发具备完整的IGBT、SiC芯片仿真设计平台，通过不断的与实测结果对比分析，优化模型参数，仿真结果已经能指导产品设计；芯片设计团队均来自于行业领先企业，具有丰富的产品设计及工艺经验，通过和模块设计、模块工艺及应用工程师协同设计，最大程度提高模块功率密度及性能，满足不同应用工况需求。
模块设计具备完整的功率模块设计能力，搭建了模块电、磁、热、应力仿真平台，可对模块设计关注的均流、热场、寄生参数等进行联合仿真优化，仿真结果已经指导产品设计并通过试验验证。
模块封装关键工艺设备均来自国际一线品牌，通过独特的焊接夹具、键合夹具设计，加严的工艺控制，焊接空洞及键合可靠性均高于行业水平。自动化产线保证了产品一致性，银烧结、超声波焊接及铜线键合等先进工艺的应用保证了产品性能领先。
模块特性评估具备完整的功率模块电学测试及分析能力，制定了模块测试方法及标准，可对不同温度下模块的静态特性、开通、关断、二极管反向恢复、短路、安全工作区等特性进行准确测量。具备模块带载测试平台，可按照客户应用工况及驱动特性进行测试评估，提供模块选型及栅极驱动参数建议。
可靠性测试具备完整的IGBT模块可靠性测试及分析能力，针对不同应用工况制定了相应的加严测试方法及标准。通过对失效模块的分析，芯片及模块设计、材料的优化，模块可靠性优于行业水平。
失效分析公司FEA团队均来自于行业领先公司，具有扎实的功率器件基础及丰富的应用分析经验，能够提供多层次的应用分析及系统解决方案。模块、芯片及材料分析能力完整，可进行系统至材料级分析。
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