一、岗位职责：
1、负责IGBT、MOSFET等功率半导体器件设计与开发工作，含IGBT芯片建模、工艺仿真、结构设计、工艺流程制定；
2、负责解决封装（模块）设计与开发过程中的关键设计、电热联合仿真、工艺等技术问题，进行封装性能分析及优化，确保研发项目的顺利进行；
3、相关专利文件撰写及申请；
4、负责建立IGBT功率模块封装工艺和材料可靠性模型，制定可靠性验证方案，收集及分析数据，解决失效问题，深入分析失效机理、失效模式和失效模型，提出改进方法；
5、负责维护相关产品领域的研发数据库和设计规则、检查表；
6、负责功率半导体器件新技术、新标准、新工具和新方法学的研究及开发。
二、任职要求：
1、本科及以上学历，电子信息工程或材料科学等相关专业，有较好的电磁场和热力学理论基础；
2、具备3年以上IGBT模块的设计经验或IGBT器件和模块的实际应用经验，熟悉IGBT、MOSFET、SIC等功率半导体器件的开发流程；
3、熟悉半导体封装工艺流程，对模块可靠性设计以及晶圆工艺，封装，测试有深入理解，擅长电磁场和电路分析，温度场分析，熟练使用多物理场仿真软件(Ansys，Comsol，Multiphysics等)；
4、熟悉失效分析方法，对业内常见的IGBT/SiC功率模块封装失效机理有深刻的理解，熟练使用soildworks软件；
5、了解芯片封装层面的热应力、机械应力仿真，PI/SI仿真内容;
6、踏实努力，积极主动，善于表达沟通，具有良好的团队协作精神，英文良好。
北一全景
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