北一全景
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采用沟槽场截止IGBT 技术，功率密度高
低饱和电压
支持并联运行；对称设计和正温度系数
低电感设计
集成负温度系数传感器
采用DBC技术的绝缘基板
紧凑坚固的设计，采用模制端子
大功率变流器
电机传动
伺服驱动器
UPS系统
风力发电机
变频器
新能源汽车
| TYPE | VBR Volts | VGS(th) Volts | ID Amps | RDS(on) mΩ | IDSS uA | TJ | Rth(JC) K/W | Ptot Watts | Circuit | Package | Technology |
| LES400H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200uA | 175℃ | 0.064 | 2230W | 2 Pack | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
| LES650H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200uA | 175℃ | 0.064 | 3200W | 2 Pack | SIC MOSFET |
